Disp LABO 6 Pnp

June 12, 2018 | Author: Felipe Carreño | Category: Transistor, Bipolar Junction Transistor, Diode, Electrical Engineering, Electrical Resistance And Conductance
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EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP .CARARCTERÍSTICAS BÁSICAS I. Marco Teorico El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(C), base (B) y emisor (E). La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulación de corriente: electrones y lagunas o agujeros. A. CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera: i. por la disposición de sus capas:  transistor PNP.  Transistor NPN. ii. por el material semiconductor empleado:  transistor de silicio.  Transistor de germanio. iii. por la disipación de potencia:  transistor de baja potencia.  Transistor de mediana potencia.  Transistor de alta potencia. iv. por la frecuencia de trabajo:  transistor de baja frecuencia.  Transistor de alta potencia. B. POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente. Para ellos se debe cumplir que: o o La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente. Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al emisor y el colector debe tener un voltaje también positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario. . Codificación europea: Primera letra A : Germanio B : Silicio Segunda Letra A : Diodo (excepto los diodos túnel) B : Transistor de baja potencia D : Transistor de baja frecuencia y de potencia E : Diodo túnel de potencia F : Transistor de alta frecuencia L : Transistor de alta frecuencia y potencia P : Foto – semiconductor S : Transistor para conmutación U : Transistor para conmutación y de potencia Y : Diodos de potencia Z : Diodo Zener Número de serie 100 – 999 : Para equipos domésticos tales como radio. Ejemplo : AD149. es un transistor de potencia. 10 – 99 y la letra X. TV. Y o Z : Para aplicaciones especiales. etc. amplificadores. CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos especifica la función que cumple y en otros casos indica su fabricación. Japoneses y Americanos. Pese a la diversidad de transistores. de germanio y sus aplicaciones son de baja frecuencia.C. grabadoras. 1. se distinguen tres grandes grupos: Europeos. Codificación japonesa: Primero 0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo 1 : Diodos 2 : Transistor Segundo S : Semiconductor Tercero A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia) B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia) C : Transistor NPN de RF D : Transistor NPN de AF F : Tiristor tipo PNPN G : Tiristor tipo NPNP Cuarto Número de serie : comienza a partir del número 11 Quinto Indica un transistor mejor que el anterior Ejemplo: Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186. .2. etc.77 M Emisor – colector 300. 4. Verificar las condiciones de un transistor bipolar pnp 2. PROCEDIMIENTO 1. 7.(3 coaxiales ORC) 12.c. Llenar la Tabla RESISTENCIA DIRECTA INVERSA Base – emisor 420. Cc= 0.6 K Colector -Emisor 18. OBJETIVOS: 1.8 M 2. Resistores : Re= 330  . Una placa con zócalo de 3 terminales 14. Cables conectores.2 92. II. Un microamperimetro. Condensadores: Cb= 0. Un generador de señales IV. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA. Verificar el estado operativo del transistor usando el ohmímetro. Codificación americana: Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con el prefijo 2N y a continuación un número que indicaba la serie de fabricación. Armar el siguiente circuito: a) Medir las comentes que circulan por el colector (Ic) y la base(Ib). C e =3. Un multímetro 2. etc. Una fuente de c. Tres cordones AC 11.1 F. variable 10. R2= 22K  8. y entre emisortierra (Ve) c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2. Dos placas con zócalo de 2 terminales 15. 3.. Un transistor 2N3906.3 F. así se tiene por ejemplo : TI1411. Re= 1K . cada fábrica le antepone su propio prefijo.7K 107. d) Cambiar R1 a 68K repetir Los pasos (a) y (b) Y anotar Los datos en la tabla 3 (por ajuste de P1) .6 7. Un Osciloscopio. Un miliamperimetro. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO 1. Actualmente. Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP III. 5. Un potenciómetro de 1M 13. 6. Un voltimetro de c.1 F. Ejemplo 2N3055. entre base-emisor(Vbe).c. R1= 56K . ECG128.3. 2N2924. 9. Obtener el  (Pl=0) b) Medir los voltajes entre colector-emisor(Vce). Observar la Salida Vo con el osciloscopio.9 Vo (v.5 Vi (mv.pp.05 1. Llenar la Tabla 5. Vce del circuito del experimento.1237 2.66 Vbe(v) 0.3 0. el colector y el emisor verifica que se cumple con las especificaciones del transistor dado.156 40  20 17. Valores (R1= 56K) Teóricos Medidos Ic(mA) 3.08 Ib(A) 162.e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K. onda senoidal. Ubicar los puntos correspondientes a las Tablas 2. La tabla de resistencia entre la base. 3 y 5.2 11.6 11. Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce(Usar Re=0).9 10. 250K.18 6.119 Av (sin Ce) 2. .331 Ve (v) 1.Anotar en la Tabla 4.393 Valores (R1= 68K) Teóricos Medidos Tabla 5 5 (Q3) P1 Ic (mA) Ib(uA) Vce (v) Ic(mA) 2.pp) 6v 250 K 1.46 15. Vce (volt) vs.13 0.316 Ve (v) 0.82 V. 3.68 Vbe(v) 0.52 1 M 0.3 0. 2.05 Av 15 Vce (v) 8. CUESTIONARIO FINAL: 1. Ic (mA) 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 5 Vce (volts) 10 15 Ic (mA) Series1 Linear (Series1) . Ajuste el generador de señales a 50 mv.7454 6..42 Vo(sin Ce) 1v 500 K 1.9512 2.7 Vce (v) 7.4525 2.27 Ib(A) 137.2431 7.pp) 400mv 100 K 3. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con el Ohmimetro.9 7.5718 3.43  20 19. 1 KHz.271 32. 500K y 1M. Representar la Recta de Carga en un grafico Ic vs. com/es/transistor.html http://www. ¿Que sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120 K? Se movería hacia abajo en comparación a la recta o sea se iría hacia la zona de corte 5.  Se muestra una resistencia parecida en la tabla 1 con las resistencias teóricas.  Se observa una correlación entre el B teórico con el practico pero no en las tablas de voltajes. ¿En que regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y 3? Se encuentra en la región activa de trabajo ya que el colector esta polarizado inversamente y el emisor directamente.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema8/Pagin as/Pagina3. VI.sc. Bibliografia        http://alltransistors.ehu.youtube. 4.net/recursos/redpictutorials/electronica_basica/transistor es_1.ws/transistor/tran_3.php?transistor=21766 Separata del profesor Paretto http://www. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.electronics-tutorials.garciacuervo. 6.pdf .htm http://www. Explicar comparativamente lo ocurrido en la Tabla 4 Se muestra un cambio en el voltaje de entrada cuando no hay un capacitor en el emisor y hace que cambie también el Av de una manera drástica.3.com/watch?v=ANR6UeDIVaA http://picmania.  Se muestran cambio en el Av cuando no hay capacitor en la parte del emisor.  Los transistores normalmente deben respetar sus B para que así se considere su buen funcionamiento.


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